Name: IAUCN10S5L094DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND
Price: 1.82689 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUCN10S5L094DATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN10S5L094DATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN10S5L094DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN10S5L094DATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 66A (Tj) 96W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-60
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUCN10S5L094DATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	66A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,4mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2180pF bei 50V
Leistung - Max.	96W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-60