Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND
Price: 4.324 CHF
Availability: InStock

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IAUS165N08S5N029ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IAUS165N08S5N029ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IAUS165N08S5N029ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUS165N08S5N029ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 165 A (Tc) 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOG-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUS165N08S5N029ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 90 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6370 pF @ 40 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 165 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOG-8-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSMD, abgewinkelte Anschlüsse
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,9mOhm bei 80A, 10V	Basis-Produktnummer IAUS165
Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 108µA