IDH04G65C5XKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IDH04G65C5XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IDH04G65C5XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IDH04G65C5XKSA1
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2202
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung PG-TO220-2-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	4A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.7 V @ 4 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	140 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	130pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-2-2
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer	IDH04G65

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