Name: IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND
Price: 3.71864 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGC033S10S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGC033S10S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGC033S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGC033S10S1XTMA1
Beschreibung	MV GAN DISCRETES
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-6-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGC033S10S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21A (Ta), 76A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,3mOhm bei 20A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,9V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±6,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1400 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-6-2
Gehäuse / Hülle	6-PowerTDFN