IGO60R070D1AUMA2 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGO60R070D1AUMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IGO60R070D1AUMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGO60R070D1AUMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGO60R070D1AUMA2
Beschreibung	GAN HV
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-20-85
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGO60R070D1AUMA2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	1,6V bei 2,6mA
Vgs (Max.)	-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	380 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-DSO-20-85
Gehäuse / Hülle	20-PowerSOIC (0,433", 11,00mm Breite)
Basis-Produktnummer	IGO60