Name: IGOT65R025D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGOT65R025D2AUMA1TR-ND
Price: 10.62623 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGOT65R025D2AUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGOT65R025D2AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGOT65R025D2AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGOT65R025D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGOT65R025D2AUMA1
Beschreibung	IGOT65R025D2AUMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 61 A (Tc) 184W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-20-91
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGOT65R025D2AUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	61 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	1,6V bei 6,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 3 V
Vgs (Max.)	-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	780 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	184W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-DSO-20-91
Gehäuse / Hülle	20-BFSOP (0,295", 7,50mm Breite)