IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

IGT60R070D1ATMA4 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Infineon Technologies

Vorrätig: 605

Stückpreis : Fr. 5.35000

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IGT60R070D1ATMA4
DigiKey-Teilenr.	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGT60R070D1ATMA4
Beschreibung	GANFET N-CH
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	1,6V bei 2,6mA
Vgs (Max.)	-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	380 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-3
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN