Name: IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND
Price: 5.6212 CHF
Availability: OutOfStock

N-Kanal 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG120R350M1HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG120R350M1HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	54 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG120R350M1HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 1mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.9 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +18V, -15V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 196 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,7 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 468mOhm bei 2A, 18V	Basis-Produktnummer IMBG120