Name: IMBG40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R011M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.59898 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG40R011M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG40R011M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG40R011M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG40R011M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG40R011M2HXTMA1
Beschreibung	SIC-MOS
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 400 V 13,4A (Ta), 133A (Tc) 3,8W (Ta), 429W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-11
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG40R011M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	400 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,4A (Ta), 133A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,4mOhm bei 37,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 13,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3770 pF @ 200 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 429W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-11
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA