Name: IMBG65R010M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HDKR-ND
Price: 19.20937 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12

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IMBG65R010M2H
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R010M2HCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R010M2H
Beschreibung	IMBG65R010M2H
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,1mOhm bei 92,1A, 20V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,7mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 112 nC @ 18 V
Verpackung Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4001 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 535W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 158 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IMBG65R010M2HXTMA1	Infineon Technologies	866	448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND	Fr. 17.23000	Parametrisches Äquivalent

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