
IMBG65R163M1HXTMA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IMBG65R163M1HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R163M1HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R163M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMBG65R163M1HXTMA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 17 A (Tc) 85W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMBG65R163M1HXTMA1 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 217mOhm bei 5,7A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,7V bei 1,7mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 10 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +23V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 320 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 85W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO263-7-12 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 3.98000 | Fr. 3.98 |
10 | Fr. 2.55800 | Fr. 25.58 |
100 | Fr. 1.88180 | Fr. 188.18 |
500 | Fr. 1.78116 | Fr. 890.58 |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1’000 | Fr. 1.48929 | Fr. 1’489.29 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.98000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.30238 |