Name: IMDQ75R040M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R040M1HXUMA1TR-ND
Price: 8.33451 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMDQ75R040M1HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMDQ75R040M1HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMDQ75R040M1HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMDQ75R040M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMDQ75R040M1HXUMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 47 A (Tc) 211W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	750 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	47 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	37mOhm bei 16,6A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	34 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1135 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	211W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22-1
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul