Name: IMDQ75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 6.71301 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMDQ75R060M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMDQ75R060M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMDQ75R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMDQ75R060M2HXTMA1
Beschreibung	IMDQ75R060M2HXTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 840 V 30 A (Tc) 128W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMDQ75R060M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 56mOhm bei 13,8A, 20V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 3mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 716 pF @ 500 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 128W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 840 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul