Name: IMLT65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMLT65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 11.39374 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMLT65R020M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMLT65R020M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMLT65R020M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMLT65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMLT65R020M2HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 107 A (Tc) 454W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-16-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 46,9A, 18V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 9,5mA
Serie CoolSiC™ Gen 2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2038 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 454W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 107 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-16-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle 16-poliges PowerSOP-Modul