Name: IMT44R025M2HXTMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT44R025M2HXTMA2TR-ND
Price: 8.33451 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IMT44R025M2HXTMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IMT44R025M2HXTMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMT44R025M2HXTMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT44R025M2HXTMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT44R025M2HXTMA2
Beschreibung	SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 440 V 9A (Ta), 68A (Tc) 3,8W (Ta), 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	440 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9A (Ta), 68A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	32,1mOhm bei 15,7A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 5,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1690 pF @ 200 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN