Name: IMW40R011M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW40R011M2HXKSA1-ND
Price: 13.9449 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IMW40R011M2HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMW40R011M2HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMW40R011M2HXKSA1
Beschreibung	IMW40R011M2HXKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 400 V 104 A (Tc) 341W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	400 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	104 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,4mOhm bei 37,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 13,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2900 pF @ 200 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	341W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-40
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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510	Fr. 6.85031	Fr. 3’493.66

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