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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R007M2HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 61 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 171 A (Tc) 625W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-U06 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R007M2HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,1mOhm bei 146,3A, 20V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 29,7mA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 179 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +23V, -7V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6359 pF @ 400 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 625W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-U06 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Gehäuse / Hülle |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 23.85000 | Fr. 23.85 |
| 30 | Fr. 15.46567 | Fr. 463.97 |
| 120 | Fr. 13.86333 | Fr. 1’663.60 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 23.85000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 25.78185 |
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