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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R007M2HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 171 A (Tc) 625W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-U06 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R007M2HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 6,1mOhm bei 146,3A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,6V bei 29,7mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 179 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +23V, -7V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 6359 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 625W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-3-U06 | |
Gehäuse / Hülle |
Auf Lager: 1’328
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 22.23000 | Fr. 22.23 |
| 30 | Fr. 14.41900 | Fr. 432.57 |
| 120 | Fr. 14.26067 | Fr. 1’711.28 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 22.23000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 24.03063 |
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