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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R015M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R015M2HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 61 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 93 A (Tc) 341W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 13mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 79 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -7V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2792 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 341W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-40 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,2mOhm bei 64,2A, 20V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 14.01000 | Fr. 14.01 |
| 30 | Fr. 8.67067 | Fr. 260.12 |
| 120 | Fr. 7.50142 | Fr. 900.17 |
| 510 | Fr. 7.04314 | Fr. 3’592.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 14.01000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 15.14481 |
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