N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
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IMW65R027M1HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMW65R027M1HXKSA1
Beschreibung
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMW65R027M1HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,7V bei 11mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
62 nC @ 18 V
Serie
Vgs (Max.)
+23V, -5V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2131 pF @ 400 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
189W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-41
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
34mOhm bei 38,3A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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