
IMW65R027M1HXKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R027M1HXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R027M1HXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 11mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 62 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -5V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2131 pF @ 400 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 189W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 34mOhm bei 38,3A, 18V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | Fr. 13.93000 | Ähnlich |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | Fr. 12.10000 | Ähnlich |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | Fr. 9.55000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 11.27000 | Fr. 11.27 |
| 30 | Fr. 6.84600 | Fr. 205.38 |
| 120 | Fr. 5.87533 | Fr. 705.04 |
| 510 | Fr. 5.31814 | Fr. 2’712.25 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 11.27000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 12.18287 |




