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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R083M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R083M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 104W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R083M1HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 111mOhm bei 11,2A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,7V bei 3,3mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 19 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -2V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 624 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-3-41 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 233
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.40000 | Fr. 5.40 |
| 30 | Fr. 3.26900 | Fr. 98.07 |
| 120 | Fr. 2.79550 | Fr. 335.46 |
| 510 | Fr. 2.36788 | Fr. 1’207.62 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 5.40000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 5.83740 |
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