IMZ120R060M1HXKSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZ120R060M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZ120R030M1HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZ120R030M1HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 56 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZ120R030M1HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 25A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,7V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2120 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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