Einstellungen
Schnelle Lieferung
Kostenlose Lieferung
Incoterms
Zahlungsmethoden
Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZA65R030M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMZA65R030M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZA65R030M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 53 A (Tc) 197W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMZA65R030M1HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 42mOhm bei 29,5A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,7V bei 8,8mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 48 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -2V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1643 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 197W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-4-3 | |
Gehäuse / Hülle |
Auf Lager: 13
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 10.06000 | Fr. 10.06 |
| 30 | Fr. 6.08033 | Fr. 182.41 |
| 120 | Fr. 5.20742 | Fr. 624.89 |
| 510 | Fr. 4.99494 | Fr. 2’547.42 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 10.06000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 10.87486 |
Kompatible ProdukteAlle anzeigen
4 Artikel
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
1 Artikel
Schweiz