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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMZA75R008M1HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 750 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 7,2mOhm bei 90,3A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,6V bei 32,4mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 178 nC @ 500 V | |
Vgs (Max.) | +23V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 6137 pF @ 500 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 517W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-4-U02 | |
Gehäuse / Hülle |
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 29.43000 | Fr. 29.43 |
| 30 | Fr. 19.42700 | Fr. 582.81 |
| 120 | Fr. 18.00767 | Fr. 2’160.92 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 29.43000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 31.81383 |
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