Name: IMZA75R016M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
Price: 16.38796 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMZA75R016M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZA75R016M1HXKSA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	750 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	89A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	15mOhm bei 41,5A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 14,9mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	81 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2869 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	319W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	IMZA75R016

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