N-Kanal 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
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N-Kanal 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R040M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZC120R040M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZC120R040M2HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
45 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZC120R040M2HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 18A, 18V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 5,5mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
39 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1310 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
218W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-17
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 9.30000Fr. 9.30
30Fr. 5.55367Fr. 166.61
120Fr. 4.73217Fr. 567.86
510Fr. 4.13804Fr. 2’110.40
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