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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

FCPF380N60
onsemi
Vorrätig: 78
Stückpreis : Fr. 2.78000
Datenblatt

Direkter Ersatz

STFU13N80K5
STMicroelectronics
Vorrätig: 896
Stückpreis : Fr. 2.90000
Datenblatt

Ähnlich

IXFP12N65X2M
IXYS
Vorrätig: 277
Stückpreis : Fr. 4.11000
Datenblatt

Ähnlich

R6011ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 500
Stückpreis : Fr. 3.22000
Datenblatt

Ähnlich

SIHF15N60E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 725
Stückpreis : Fr. 2.88000
Datenblatt

Ähnlich

STF11NM80
STMicroelectronics
Vorrätig: 946
Stückpreis : Fr. 4.74000
Datenblatt

Ähnlich

STF13NM60ND
STMicroelectronics
Vorrätig: 662
Stückpreis : Fr. 2.45000
Datenblatt

Ähnlich

STF18N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 927
Stückpreis : Fr. 2.15000
Datenblatt

Ähnlich

STF18NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 555
Stückpreis : Fr. 2.71000
Datenblatt

Ähnlich

STF22NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 1’925
Stückpreis : Fr. 3.45000
Datenblatt

Ähnlich

STFU15N80K5
STMicroelectronics
Vorrätig: 710
Stückpreis : Fr. 1.54000
Datenblatt

Ähnlich

STP18N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 285
Stückpreis : Fr. 1.95000
Datenblatt
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PG-TO220-3-31
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA60R299CPXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R299CPXKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPA60R299CPXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R299CPXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
299mOhm bei 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 440µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-31
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
IPA60R299
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