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IPA65R110CFDXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Parametrisches Äquivalent
Ähnlich
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPA65R110CFDXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA65R110CFDXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA65R110CFDXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 34,7W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-111 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA65R110CFDXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 110mOhm bei 12,7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 1,3mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 118 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 3240 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 34,7W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-3-111 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
Schweiz