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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPA65R190C7XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA65R190C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA65R190C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA65R190C7XKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 290µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1150 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 5,7A, 10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.92000 | Fr. 2.92 |
| 50 | Fr. 1.46960 | Fr. 73.48 |
| 100 | Fr. 1.32910 | Fr. 132.91 |
| 500 | Fr. 1.08274 | Fr. 541.37 |
| 1’000 | Fr. 1.00357 | Fr. 1’003.57 |
| 2’000 | Fr. 0.93704 | Fr. 1’874.08 |
| 5’000 | Fr. 0.88115 | Fr. 4’405.75 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.92000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.15652 |
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