Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich

IPA65R190C7XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA65R190C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA65R190C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA65R190C7XKSA1 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 190mOhm bei 5,7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 290µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1150 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.50000 | Fr. 1.50 |
| 50 | Fr. 1.27800 | Fr. 63.90 |
| 100 | Fr. 1.23090 | Fr. 123.09 |
| 500 | Fr. 0.99540 | Fr. 497.70 |
| 1’000 | Fr. 0.86286 | Fr. 862.86 |
| 2’000 | Fr. 0.83070 | Fr. 1’661.40 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.50000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.62150 |












