
IPA65R280E6XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPA65R280E6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA65R280E6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 13,8 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA65R280E6XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 440µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 950 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 32W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 4,4A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOTF15S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 208 | 785-1519-5-ND | Fr. 3.30000 | Ähnlich |
| SIHF15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF15N65E-GE3-ND | Fr. 1.29158 | Ähnlich |
| STF16N65M5 | STMicroelectronics | 170 | 497-8893-5-ND | Fr. 3.32000 | Ähnlich |
| TK290A65Y,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | 34 | TK290A65YS4X-ND | Fr. 2.63000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.08000 | Fr. 3.08 |
| 50 | Fr. 1.53540 | Fr. 76.77 |
| 100 | Fr. 1.38580 | Fr. 138.58 |
| 500 | Fr. 1.12364 | Fr. 561.82 |
| 1’000 | Fr. 1.03940 | Fr. 1’039.40 |
| 2’000 | Fr. 0.96858 | Fr. 1’937.16 |
| 5’000 | Fr. 0.89200 | Fr. 4’460.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.08000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.32948 |

