
IPA65R600E6XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IPA65R600E6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA65R600E6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7,3 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA65R600E6XKSA1 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 2,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 210µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 440 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 28W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 1.73000 | Fr. 1.73 |
50 | Fr. 0.83880 | Fr. 41.94 |
100 | Fr. 0.75220 | Fr. 75.22 |
500 | Fr. 0.60026 | Fr. 300.13 |
1’000 | Fr. 0.55140 | Fr. 551.40 |
2’000 | Fr. 0.51032 | Fr. 1’020.64 |
5’000 | Fr. 0.48700 | Fr. 2’435.00 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.73000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.87013 |