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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPA80R1K4CEXKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA80R1K4CEXKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA80R1K4CEXKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 3,9 A (Tc) 31W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA80R1K4CEXKSA2 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,4Ohm bei 2,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,9V bei 240µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 570 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 31W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 3
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.51000 | Fr. 1.51 |
| 50 | Fr. 0.77500 | Fr. 38.75 |
| 100 | Fr. 0.68760 | Fr. 68.76 |
| 500 | Fr. 0.51614 | Fr. 258.07 |
| 1’000 | Fr. 0.45963 | Fr. 459.63 |
| 2’000 | Fr. 0.43650 | Fr. 873.00 |
| 5’000 | Fr. 0.40560 | Fr. 2’028.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.51000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.63231 |
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