
IPA80R650CEXKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA80R650CEXKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA80R650CEXKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 8 A (Ta) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3F |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA80R650CEXKSA2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 470µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 33W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3F |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 5,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STF9NM60N | STMicroelectronics | 1’359 | 497-12591-5-ND | Fr. 2.59000 | Ähnlich |
| TK9A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 22 | TK9A60D(STA4QM)-ND | Fr. 2.30000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.69000 | Fr. 2.69 |
| 50 | Fr. 1.32720 | Fr. 66.36 |
| 100 | Fr. 1.19490 | Fr. 119.49 |
| 500 | Fr. 0.96290 | Fr. 481.45 |
| 1’000 | Fr. 0.88832 | Fr. 888.32 |
| 2’000 | Fr. 0.82564 | Fr. 1’651.28 |
| 5’000 | Fr. 0.75785 | Fr. 3’789.25 |
| 10’000 | Fr. 0.71599 | Fr. 7’159.90 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.69000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.90789 |








