Name: IPA95R130PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPA95R130PFD7XKSA1-ND
Price: 5.35095 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA95R130PFD7XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPA95R130PFD7XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPA95R130PFD7XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 950V 13.9A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 950 V 13,9A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	950 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,9A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	130mOhm bei 25,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,25mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4170 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220 voller Pack
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack

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1	Fr. 4.95000	Fr. 4.95
50	Fr. 2.63320	Fr. 131.66
100	Fr. 2.40900	Fr. 240.90
500	Fr. 2.03280	Fr. 1’016.40

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