N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
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IPAN60R125PFD7SXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
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Herst.
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Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 390µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1503 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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