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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 25A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPAN60R125PFD7SXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 125mOhm bei 7,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 390µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1503 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1’465
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.42000 | Fr. 2.42 |
| 50 | Fr. 1.17500 | Fr. 58.75 |
| 100 | Fr. 1.08870 | Fr. 108.87 |
| 500 | Fr. 0.88222 | Fr. 441.11 |
| 1’000 | Fr. 0.80893 | Fr. 808.93 |
| 2’000 | Fr. 0.77260 | Fr. 1’545.20 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.42000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.61602 |
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