Name: IPB020NE7N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB020NE7N3GATMA1TR-ND
Price: 5.42662 CHF
Availability: InStock

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IPB020NE7N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB020NE7N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB020NE7N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB020NE7N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB020NE7N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB020NE7N3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 273µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14400 pF @ 37.5 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB020

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 5.02000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 5.42662

IPB020NE7N3GATMA1