Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 5.19961 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB021N10NM5LF2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Beschreibung	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2mOhm bei 100A, 15V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 280µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 206 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 17000 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30A (Ta), 176A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V, 15V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB