Name: IPB040N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.60521 CHF
Availability: InStock

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IPB040N08NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB040N08NF2SATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 107 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB040N08NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 85µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 81 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3800 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 107 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPB040N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 80A, 10V

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