Name: IPB081N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB081N06L3GATMA1TR-ND
Price: 1.80527 CHF
Availability: InStock

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IPB081N06L3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB081N06L3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB081N06L3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB081N06L3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 79W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB081N06L3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 34µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4900 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IPB081
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,1mOhm bei 50A, 10V

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