Name: IPB100N04S4H2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND
Price: 1.14586 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB100N04S4H2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB100N04S4H2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB100N04S4H2ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB100N04S4H2ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 70µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7180 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	115W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB100