Name: IPB108N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB108N15N3GATMA1TR-ND
Price: 4.31319 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB108N15N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB108N15N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB108N15N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB108N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB108N15N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 83 A (Tc) 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB108N15N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 160µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 55 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3230 pF @ 75 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 214W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 83 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Basis-Produktnummer IPB108
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,8mOhm bei 83A, 10V