IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB120N03S4L03ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB120N03S4L03ATMA1-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB120N03S4L03ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 120 A (Tc) 79W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 40µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	79W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB120