IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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IPB120N08S404ATMA1
cms-digikey-product-number	448-IPB120N08S404ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB120N08S404ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB120N08S404ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPB120N08S404ATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 179W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	IPB120N08S404ATMA1 Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,1mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 120µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6450 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB120