Name: IPB65R045C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R045C7ATMA2TR-ND
Price: 8.48585 CHF
Availability: InStock

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IPB65R045C7ATMA2
DigiKey-Teilenr.	IPB65R045C7ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB65R045C7ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB65R045C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R045C7ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 46 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R045C7ATMA2 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	46 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	45mOhm bei 24,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1,25mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4340 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	227W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB65R045

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 7.85000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 8.48585

IPB65R045C7ATMA2