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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 1’319
Stückpreis : Fr. 2.51000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Infineon Technologies
Vorrätig: 3’353
Stückpreis : Fr. 2.59000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 598
Stückpreis : Fr. 2.93000
Datenblatt

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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 10’658
Stückpreis : Fr. 2.93000
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Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.50714
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Vorrätig: 1’693
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Vorrätig: 611
Stückpreis : Fr. 3.36000
Datenblatt
PG-TO263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R190C7ATMA1

DigiKey-Teilenr.
IPB65R190C7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPB65R190C7ATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 290µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1150 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
72W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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