IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPB80N06S208ATMA2
DigiKey-Teilenr.	IPB80N06S208ATMA2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB80N06S208ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB80N06S208ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 96 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2860 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Verlustleistung (max.) 215W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,7mOhm bei 58A, 10V	Basis-Produktnummer IPB80N
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 150µA