IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPD50R1K4CEAUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPD50R1K4CEAUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD50R1K4CEAUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD50R1K4CEAUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 3,1 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD50R1K4CEAUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 70µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.2 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 178 pF @ 100 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,1 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 13V	Basis-Produktnummer IPD50R1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,4Ohm bei 900mA, 13V

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