Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 0.96209 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60N10S4L12ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-313
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60N10S4L12ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 46µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3170 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3-313
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD60N10