Name: IPP029N06NXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP029N06NXKSA1-ND
Price: 2.79979 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP029N06NXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP029N06NXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP029N06NXKSA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,9mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,3V bei 75µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5125 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.59000	Fr. 2.59
50	Fr. 1.28520	Fr. 64.26
100	Fr. 1.17540	Fr. 117.54
500	Fr. 0.95542	Fr. 477.71
1’000	Fr. 0.88478	Fr. 884.78
2’000	Fr. 0.84930	Fr. 1’698.60

Standardverpackung des Herstellers

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