Name: IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND
Price: 2.0539 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPG20N10S4L22AATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPG20N10S4L22AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPG20N10S4L22AATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 20A 60W Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PG-TDSON-8-10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPG20N10S4L22AATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1755pF bei 25V
Leistung - Max.	60W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-10
Basis-Produktnummer	IPG20N