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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
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AUIRFSL6535
TO-262-3

IPI45N06S4L08AKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPI45N06S4L08AKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPI45N06S4L08AKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 45 A (Tc) 71W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
45 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,2mOhm bei 45A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,2V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4780 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO262-3
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI45N06
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